台积电近日在官方网站发布消息，宣布其2纳米制程技术已按既定规划于2025年第四季度进入量产阶段，此举标志着半导体制造正式迈入2纳米时代。相较前代N3E工艺，新一代N2制程在保持相同功耗水平下可实现10%至15%的性能提升，在相同运行速度下则可降低25%至30%的功耗，能效表现显著优化。根据产品路线图，高通下一代骁龙8 Elite Gen6系列以及联发科天玑9600系列芯片均将采用该2纳米制程进行生产。在芯片性能与能效提升的同时，制造成本也大幅上升。业内信息显示，台积电2纳米晶圆的单价预计将突破3万美元，较4纳米制程近乎翻倍，这一变化将直接传导至终端设备，推高整体硬件制造成本。受成本上涨影响，2026年下半年发布的旗舰手机产品线将迎来结构性调整。有消息称，部分厂商将对产品策略进行重新规划：下一代旗舰机型的标准版本将继续沿用现有的3纳米芯片，如骁龙8 Elite Gen5或天玑9500，以控制成本并维持售价稳定或仅小幅上调；而定位更高的Pro版和Ultra版则会率先搭载最新的2纳米芯片，以体现高端差异化。由此可以预见，今年下半年发布的旗舰手机中，标准版与高阶版本之间的配置差距将进一步拉大。通过芯片分层策略，厂商在保障利润空间的同时，也为不同消费层级提供更具针对性的产品选择。本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：台积电2纳米量产在即，旗舰手机芯片迎来分层时代https://mobile.zol.com.cn/1113/11130679.html https://mobile.zol.com.cn/1113/11130679.htmlmobile.zol.com.cntrue中关村在线https://mobile.zol.com.cn/1113/11130679.htmlreport 1013台积电近日在官方网站发布消息，宣布其2纳米制程技术已按既定规划于2025年第四季度进入量产阶段，此举标志着半导体制造正式迈入2纳米时代。相较前代N3E工艺，新一代N2制程在保持相同功耗水平下可实现10%至15%的性能提升，在相同运行速度下则可降低25%至30%的功耗，能效表...
